- 场效应管12n65可以用2N60代换2N60是功率场效应管,参数是:硅、500V、2A、55W、RDS(on)≤5.1Ω、带阻尼12N60C也是功率场效应管,参数:硅、600V、12A、51W、RDS(on)=0.65Ω、带阻尼。12N60C是可以代换2N60的。功率场效应晶体管(VF)又称VMOS场效应管。...
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- 1、微件不同:场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。2、放大系数:场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差可控硅是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。3、输入电阻:场效应管...
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- 你好,很高兴为你解答!测量这种管子的好坏一般用指针万用表较方便,反复对三个管脚间两两测量其电阻,有且只有一次表针动的管子一般是好的,表针一次都不动或超过两次必坏把数字万用表打到二极管档,用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚,好的场效应管在量测的时候只应有一次有读数,而...
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- 对于绝缘栅型场效应管来说,一旦栅极的二氧化硅绝缘层被击穿,这个场效应管就废了,那怕是你所说的“轻微击穿”,也不行,仍然算是废了,即使还能控制电流,也不靠谱了。如果用于开关电源,隐患非常大。...
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- 5n60场效应管测的好坏方法.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。首先将万用表量程开关调至二极管档,将5N60C的G极悬空,用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极,若是好的管子,万用表显示为“OL”,即溢出。2、然后调换红黑表笔,再去测量D-S两极,则万用表显示的读数为一个硅二...
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- ftp23n10a场效应管采用的是高通骁龙870处理器,可以支持最高满血的闪存以及内存,另外它采用的是一块6.67英寸的lcd屏幕,支持内置6000毫安电池,支持60w的极速充电。另外它还支持立体声的双扬声器,支持红外遥控功能等等。耐压电流功率2SK534---800V---5A---100W2SK538---900V---3...
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- k4145场效应管的引脚参数K4145的参数:84A,60V,0.01ohm,N沟道,硅,为场效应管,。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管。...
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- 你好,很高兴为你解答!5N60C场效应管怎么测量好坏:首先观察场效应管的外观是否完好,如果存在烧焦或针脚断裂等说明已经发生损坏。2、对场效应管的引脚进行清洁,然后用小镊子对场效应管进行放电,避免残留电荷对检测产生影响。3、用熟悉万用表调到二极管档位4、用表笔先接短MOS管...
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- k1117场效应管采用的是麒麟9000处理器,这是一款麒麟旗舰级别的处理器.采用的是五纳米的台积电结构工艺,安兔兔跑分可以达到78万分,它还是是满血的闪存以及内存。另外,这款手机支持立体声双扬声器,支持后置1亿像素的高清摄像头,还支持光学防抖。...
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- 断态重复峰值电压VDRM>850V,反向重复峰值电压VRRM>850V断态重复峰值电压(VDRM/VRRM) 600/800V通态均方根电流(IT(RMS))  12A,通态电流临界上升率(dIT/dt) 50A/μs,门极峰值电流(IGM)2A,门极峰值功率(PGM) 5W门极平均功率(PG(AV))0.5W存储温度(TSTG)40~+150...
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-  场效应管2sk1386参数: 型号为2SK1386,类型为N沟道场效应管(绝缘栅型),耗散功率(PD)100W,漏极电流(ID)7A,漏极和源极电压(VDSS)450V,封装4-186。 场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件,由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管...
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- 可以。自制升压电路的方法如下:1、准备所需材料如下:VT可以选择9013等管子,如需电流大,可以选择功率更大的管R普通100欧的电阻D1普通的1N4148?C普通电解电容变压器T,这个是关键,用高导磁率的磁环绕制,可以在废旧的镇流器,电脑电源拆取,L1使用漆包线绕10匝,在6匝处抽头,将L1分成L1a(m...
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- 类型:N沟道漏源电压(Vdss):83V连续漏极电流(Id):82A功率(Pd):99W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs):47nC@10V输入电容(Ciss@Vds):3.016nF@25V反向传输电容(Crss@Vds):106pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)...
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- 1、步骤1:将场效应管从电路板上拆下,将万用表的表笔金属部分将该管三个引脚短路,放掉残存的电荷。注意手指不能触摸场效应管的栅极引脚,以免感应静电将管子击穿。2、步骤2:将数字万用表的档位开关指向“二极管”档。将黑表笔搭在场效应管的S极,红表笔先与D极接触,观察万用表显示...
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- 8n60是N沟通场效应管,漏极电流,Id最大值:7.5A,电压,Vds最大:600V,开态电阻,Rds(on):1.2oh,电压,Vgs最高:30V功耗:48W,工作温度范围:-55°Cto+150°C,封装:TO-220F,主要有两种类型:结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管,它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪声小、功耗低、...
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- 可以两种型号场效应管参数相差不多,勉强可以代换,如果是管子单独使用,可以临时代换。场效应晶体管缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管和金属-氧化物半导体场效应管简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有...
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- ncep01t13场效应管采用的是麒麟990除以处理器,这款处理器采用的是台积电七纳米的结构工艺行兔兔跑分可以达到将近50万分,性能十分强大。另外,这款手机还内置了4000毫安电池,支持40w的快速充电以及27w的无线充电,后置的摄像头还支持五倍的光学变焦以及50倍的数码变焦。...
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- IRL540N参数产品简介PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:36AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.044ΩVRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:14SGfs(min)VDS漏源电压:25VGfs(min)lo通态电流:18A...
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- 电子管功放好。电子管功放是由电子管进行音频信号放大的,发烧友们称为胆机。输出需要用铁芯硅钢片来绕制它,与喇叭的阻抗匹配很好,不过一般功率小,用于做前级功放。从主观上讲,由于各人的阅历、素养、情趣等等的差异,常会对某种放大器更偏爱一些。一句话,还是各取所需为好。假如...
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- 2n6659场效应管采用的是联发科天机820处理器。此款处理器支持5G双模,全网通工的安兔兔跑分达到将近40万分。这款手机材料是90赫兹的OLED屏幕,高刷新率,支持屏幕指纹解锁。它内置了4500毫安电池,支持22.5w的快速充电。后置了四千八百万的高清三摄支持五倍的光学变焦以及五十倍...
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-  场效应管可以代替功放管。其实,一般我们叫的功放管也就是低频大功率三极管,所以,如果用音频专用的场效应管代替功放管当然可以了,效果比三极管的功放管还要柔和动听。 场效应管是一种电压控制电流型的半导体,利用改变外加电压产生的电场效应来控制其电流大小。...
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- 7n60a4的场效应管参数:PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:4.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA...
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- fhp50n50场效应管采用的是高通骁龙888处理器,这款处理器的性能十分强,大大的保温达到了80万美金,并且支持满血的上周以及内存。他在支持5G双模全网通功能,它采用的是后壳玻璃材质,并且支持杜比音效的立体声双扬声器。以上是我的回答,希望我的回答可以帮到您。参数最大耗散功率:...
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- 1、首先观察场效应管的外观是否完好,如果存在烧焦或针脚断裂等说明已经发生损坏。2、对场效应管的引脚进行清洁,然后用小镊子对场效应管进行放电,避免残留电荷对检测产生影响。3、选择数字万用表的【二极管】挡。4、将黑表笔接待测场效应管左边的第1只引脚,用红表笔分别测它...
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-  irfp4362场效应管参数为:120A,250V,360W。 场效应晶体管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和...
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